O método de produção de micro pó de silício

Primeiramente, o método do triclorossilano adiciona pó de silício seco ao forno de síntese e sofre reação de cloração com o gás cloreto de hidrogênio seco introduzido na presença de catalisador de cloreto cuproso a {{0}} graus. O gás de reação é separado por ciclone para remover impurezas e, então, o triclorossilano gasoso é condensado em um líquido usando água salgada congelada com cloreto de cálcio. Ele é destilado e condensado em uma torre de destilação bruta para remover substâncias de alto e baixo ponto de ebulição e, então, destilado e condensado em uma torre de destilação para obter um líquido de triclorossilano refinado. A pureza deve atingir 7 ou mais "9", o teor de impurezas deve ser menor que 1 × 10-7 e a necessidade de boro deve ser menor que 0,5 × 10-9. O triclorossilano purificado é enviado para um forno de redução de aço inoxidável, onde gás hidrogênio ultrapuro é usado como um agente redutor para reduzi-lo a silício a 1050-1100 graus. A haste com núcleo de silício é usada como um transportador para depositar produtos de silício policristalino.

Em segundo lugar, misture sílica com aproximadamente 95% de teor de SiO2 e coque com baixo teor de cinzas, aqueça até cerca de 1900 graus para redução. A pureza do silício produzido por este método é de 97%~98%, que é chamado de silício metálico. Após a fusão do silício metálico, ele passa por recristalização e as impurezas são removidas com ácido para obter silício metálico com uma pureza de 99,7%~99,8%. Para transformá-lo em silício semicondutor, é necessário convertê-lo em uma forma líquida ou gasosa que seja fácil de purificar e, em seguida, obter silício policristalino por meio de processos de destilação e decomposição. Para obter silício de alta pureza, é necessário um tratamento de purificação adicional.

Em terceiro lugar, misture sílica com aproximadamente 95% de teor de SiO2 e coque com baixo teor de cinzas e use um forno a arco aberto de 1000-3000kVA para aquecer até cerca de 1900 graus para redução.